一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯润东; 张文伟 |
| 发表日期 | 2021-10-15 |
| 专利号 | CN202010651681.3 |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 ; 西安中科阿尔法电子科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法，解决现有磁电阻增加磁阻率的方式会增加生产周期、降低产能的问题。该提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法包括以下步骤：步骤一、清洗硅片，将干净的硅片固定至溅射室的样品盘上；步骤二、对溅射室抽高真空，当真空度在低于设定值时，通入氩气；步骤三、打开高能离子源，高能离子源对硅片清洗进行，清洗完成后关闭高能离子源；步骤四、设定溅射功率，设置溅射的偏置电压，设定溅射时间，保持溅射室的工作气压在设定值；步骤五、根据步骤四设定的参数，开始溅射NiFe，同时，再次打开高能离子源，使得高能离子源的离子束流照射至硅片。 |
| 公开日期 | 2020-11-27 |
| 申请日期 | 2020-07-08 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/95410]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯润东,张文伟. 一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法. CN202010651681.3. 2021-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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