GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design
文献类型：期刊论文
| 作者 | Suyuan Wang ; Qiang Wu ; Jun Zheng ; Bin Zhang ; Jianghong Yao ; Qingjun Zhou ; Li Yang ; Jingjun Xu ; Buwen Cheng |
| 刊名 | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 59期号:3页码:034001 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30501]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Suyuan Wang ; Qiang Wu ; Jun Zheng ; Bin Zhang ; Jianghong Yao ; Qingjun Zhou ; Li Yang ; Jingjun Xu ; Buwen Cheng. GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2020,59(3):034001. |
| APA | Suyuan Wang ; Qiang Wu ; Jun Zheng ; Bin Zhang ; Jianghong Yao ; Qingjun Zhou ; Li Yang ; Jingjun Xu ; Buwen Cheng.(2020).GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,59(3),034001. |
| MLA | Suyuan Wang ; Qiang Wu ; Jun Zheng ; Bin Zhang ; Jianghong Yao ; Qingjun Zhou ; Li Yang ; Jingjun Xu ; Buwen Cheng."GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59.3(2020):034001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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