First principles study of Schottky barriers at Ga2O3(100)/metal interfaces
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ran Xu; Na Lin; Zhitai Jia; Yueyang Liu; Haoyuan Wang; Yifei Yu ; Xian Zhao |
| 刊名 | RSC ADVANCES
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| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 10期号:25页码:14746-14752 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30394]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ran Xu; Na Lin; Zhitai Jia; Yueyang Liu; Haoyuan Wang; Yifei Yu ; Xian Zhao. First principles study of Schottky barriers at Ga2O3(100)/metal interfaces[J]. RSC ADVANCES,2020,10(25):14746-14752. |
| APA | Ran Xu; Na Lin; Zhitai Jia; Yueyang Liu; Haoyuan Wang; Yifei Yu ; Xian Zhao.(2020).First principles study of Schottky barriers at Ga2O3(100)/metal interfaces.RSC ADVANCES,10(25),14746-14752. |
| MLA | Ran Xu; Na Lin; Zhitai Jia; Yueyang Liu; Haoyuan Wang; Yifei Yu ; Xian Zhao."First principles study of Schottky barriers at Ga2O3(100)/metal interfaces".RSC ADVANCES 10.25(2020):14746-14752. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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