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Piezoelectric Tunnel FET With a Steep Slope

文献类型:期刊论文

作者Yuxiong Long , Student Member,IEEE;   Jun Z. Huang;   Qianqian Huang,Member, IEEE;   Nuo Xu, Member, IEEE;   Xiangwei Jiang ,Member,IEEE;   Zhi-Chuan Niu ;   Ru Huang, Fellow, IEEE;   Shu-Shen Li
刊名IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
出版日期2020
卷号41期号:6页码:948-951
语种英语
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30251]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Yuxiong Long , Student Member,IEEE; Jun Z. Huang; Qianqian Huang,Member, IEEE; Nuo Xu, Member, IEEE; Xiangwei Jiang ,Member,IEEE; Zhi-Chuan Niu ; Ru Huang, Fellow, IEEE; Shu-Shen Li. Piezoelectric Tunnel FET With a Steep Slope[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2020,41(6):948-951.
APA Yuxiong Long , Student Member,IEEE; Jun Z. Huang; Qianqian Huang,Member, IEEE; Nuo Xu, Member, IEEE; Xiangwei Jiang ,Member,IEEE; Zhi-Chuan Niu ; Ru Huang, Fellow, IEEE; Shu-Shen Li.(2020).Piezoelectric Tunnel FET With a Steep Slope.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,41(6),948-951.
MLA Yuxiong Long , Student Member,IEEE; Jun Z. Huang; Qianqian Huang,Member, IEEE; Nuo Xu, Member, IEEE; Xiangwei Jiang ,Member,IEEE; Zhi-Chuan Niu ; Ru Huang, Fellow, IEEE; Shu-Shen Li."Piezoelectric Tunnel FET With a Steep Slope".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 41.6(2020):948-951.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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