Interface-engineering enhanced light emission from Si/Ge quantum dots
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhi-Min Ji; Jun-Wei Luo; Shu-Shen Li |
| 刊名 | NEW JOURNAL OF PHYSICS
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| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 22期号:9页码:093037 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30133]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhi-Min Ji;Jun-Wei Luo; Shu-Shen Li. Interface-engineering enhanced light emission from Si/Ge quantum dots[J]. NEW JOURNAL OF PHYSICS,2020,22(9):093037. |
| APA | Zhi-Min Ji;Jun-Wei Luo; Shu-Shen Li.(2020).Interface-engineering enhanced light emission from Si/Ge quantum dots.NEW JOURNAL OF PHYSICS,22(9),093037. |
| MLA | Zhi-Min Ji;Jun-Wei Luo; Shu-Shen Li."Interface-engineering enhanced light emission from Si/Ge quantum dots".NEW JOURNAL OF PHYSICS 22.9(2020):093037. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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