一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管
文献类型：专利
| 作者 | 陈萍; 田进寿 ; 郭乐慧; 王兴; 赛小锋; 刘虎林; 缑永胜; 刘百玉; 何凯; 高贵龙
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| 发表日期 | 2020-09-11 |
| 专利号 | CN202010953334.6 |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种光电倍增管，具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管，旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂，加载电压过高致使高压器件负担增大，以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题。该光电倍增管包括玻璃外壳、光电阴极、聚焦电极、硅电子倍增器以及电极引线，所述玻璃外壳为真空腔体，光电阴极沉积于玻璃外壳的入射端内表面，聚焦电极与硅电子倍增器置于所述真空腔体沿入射光方向的中心轴上。本发明采用工作于盖革模式下的硅电子倍增器可获得较好的单光子信号探测能力，采用金属圆盘聚焦、单级或多级静电聚焦电极结构可实现光电子的有效收集和提高大面积PMT探测效率。 |
| 公开日期 | 2021-01-05 |
| 申请日期 | 2020-09-11 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/95447]  |
| 专题 | 条纹相机工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈萍,田进寿,郭乐慧,等. 一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管. CN202010953334.6. 2020-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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