T型半导体量子线的动态屏蔽效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘月 ; 王廷栋 ; 白凌志 ; 程诚 ; 张伟 ; 怀平 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 6页码:467-471 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 采用动态屏蔽库仑势计算了T型半导体量子线的载流子自能,讨论了电子、空穴的自能及其对量子线截面尺度的依赖关系。计算结果表明,准一维体系具有很强的量子限域效应,显著增强了载流子间的有效库仑作用。受电子间强烈散射的影响,动态屏蔽导致了电子能带重整化及寿命的很大变化。与准静态近似计算结果相比,动态屏蔽效应对空穴的影响较小。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-11 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12719]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘月,王廷栋,白凌志,等. T型半导体量子线的动态屏蔽效应[J]. 核技术,2012(6):467-471. |
| APA | 刘月,王廷栋,白凌志,程诚,张伟,&怀平.(2012).T型半导体量子线的动态屏蔽效应.核技术(6),467-471. |
| MLA | 刘月,et al."T型半导体量子线的动态屏蔽效应".核技术 .6(2012):467-471. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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