双稳态MEMS电磁微继电器响应速度的分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汤学华 ; 吉特 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 1页码:87-92 |
| 关键词 | 微机电系统 电磁微继电器 双稳态 响应速度 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的新型双稳态电磁微继电器,并对影响其响应速度的因素进行了分析。测试后,结果表明,器件在运行过程中的脉冲间歇期间能够保持稳定状态而无需额外功耗;并且能够实现通过调节运行幅度,来提高器件的响应速度,最短的响应时间可以达到0.3ms。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-11 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12618]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤学华,吉特. 双稳态MEMS电磁微继电器响应速度的分析[J]. 功能材料与器件学报,2011(1):87-92. |
| APA | 汤学华,&吉特.(2011).双稳态MEMS电磁微继电器响应速度的分析.功能材料与器件学报(1),87-92. |
| MLA | 汤学华,et al."双稳态MEMS电磁微继电器响应速度的分析".功能材料与器件学报 .1(2011):87-92. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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