Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 林建波 ; 何上明 ; 李爱国 ; 余笑寒 ; 曹兴忠 ; 王宝义 ; 李卓昕 |
| 出版日期 | 2012 |
| 会议日期 | 2012 |
| 关键词 | Hastelloy N合金 辐照损伤 位错 缺陷 空位 正电子湮灭寿命 |
| 页码 | 1 |
| 中文摘要 | 采用正电子湮没寿命谱方法研究了不同剂量He离子辐照后的Hastelloy N合金微结构。He离子能量为4.5 MeV,辐照剂量分别为8×10~(14)/cm~2、3×10~(15)/cm~2和1×10~(16)/cm~2。辐照后合金存在单空位、双空位、位错和空位团等缺陷。随着辐照剂量的增大,合金中的单双空位和位错增多;高剂量下空位和位错出现了回复现象,单双空位以及位错的浓度逐渐降低,且空位更多地聚集成为空位团;另外,随辐照剂量增加空位团尺寸变大,高剂量下空位团尺寸变小,但空位团的浓度逐渐变大。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 会议主办者 | 中国核物理学会正电子谱学专业委员会、四川大学物理科学与技术学院、中国科学院高能物理研究所、四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室 |
| 会议录 | 第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12665]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林建波,何上明,李爱国,等. Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究[C]. 见:. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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