Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Jiang, Yongjin; Low, Tony; Chang, Kai; Katsnelson, Mikhail I.; Guinea, Francisco |
| 刊名 | physical review letters
 ; PHYSICAL REVIEW LETTERS
|
| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 110期号:4页码:046601 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-09-22 ; 2013-09-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24396]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jiang, Yongjin,Low, Tony,Chang, Kai,et al. Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene, Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene[J]. physical review letters, PHYSICAL REVIEW LETTERS,2013, 2013,110, 110(4):046601, 046601. |
| APA | Jiang, Yongjin,Low, Tony,Chang, Kai,Katsnelson, Mikhail I.,&Guinea, Francisco.(2013).Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene.physical review letters,110(4),046601. |
| MLA | Jiang, Yongjin,et al."Generation of Pure Bulk Valley Current in Graphene".physical review letters 110.4(2013):046601. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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