成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨辉1; 张志勇2 ; 冯志伟2; 熊祝韵1; 曾体贤1
|
| 刊名 | 影像科学与光化学
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 035期号:002页码:168 |
| ISSN号 | 1674-0475 |
| 英文摘要 | 本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉（CdSe）单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得（001）晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm^3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2～20μm波段透过率较高（达到70%）,满足中红外波片的应用需求。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.bao.ac.cn/handle/114a11/52197]  |
| 专题 | 中国科学院国家天文台 |
| 作者单位 | 1.西华师范大学 2.中国科学院国家天文台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨辉,张志勇,冯志伟,等. 成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究[J]. 影像科学与光化学,2017,035(002):168. |
| APA | 杨辉,张志勇,冯志伟,熊祝韵,&曾体贤.(2017).成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究.影像科学与光化学,035(002),168. |
| MLA | 杨辉,et al."成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究".影像科学与光化学 035.002(2017):168. |
入库方式： OAI收割
来源：国家天文台
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。