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蒸发电流对cdse薄膜的结晶性能影响研究

文献类型:期刊论文

作者裴传奇2; 张敏2; 张志勇1; 杨辉2; 刘其娅2; 曾体贤2
刊名人工晶体学报
出版日期2016
卷号45期号:10页码:2436
ISSN号1000-985X
英文摘要采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出CdSe薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的结构和表面形貌进行了表征。结果显示: 蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿(002)方向择优生长,衍射峰较强,半峰宽较小,晶粒(约48 nm)分布较均匀,表面粗糙度低(5.58 nm),无裂纹。蒸发电流不改变薄膜的结晶取向,但电流过低时,薄膜的表面颗粒轮廓模糊且有间隙,结晶性差; 电流高于75 A时,随电流升高,薄膜结晶性逐步降低,颗粒变小,半峰宽变大,部分样品表面晶粒生长不完整,表面出现裂纹。
语种英语
源URL[http://ir.bao.ac.cn/handle/114a11/53874]  
专题中国科学院国家天文台
作者单位1.中国科学院国家天文台
2.西华师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
裴传奇,张敏,张志勇,等. 蒸发电流对cdse薄膜的结晶性能影响研究[J]. 人工晶体学报,2016,45(10):2436.
APA 裴传奇,张敏,张志勇,杨辉,刘其娅,&曾体贤.(2016).蒸发电流对cdse薄膜的结晶性能影响研究.人工晶体学报,45(10),2436.
MLA 裴传奇,et al."蒸发电流对cdse薄膜的结晶性能影响研究".人工晶体学报 45.10(2016):2436.

入库方式: OAI收割

来源:国家天文台

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