Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD
文献类型：会议论文
| 作者 | Jingwei Wang ; Yiding Wang ; Tao Wang ; Shuren Yang ; Xiaoting Li ; Jingzhi Yin ; Xiaofeng Sai ; SaiHongkai Gao |
| 出版日期 | 2006 |
| 关键词 | LP-MOCVD mismatched GaInAsSb surface morphology |
| 期号 | 6029 |
| 页码 | 602912-1~6029126 |
| 收录类别 | SCI |
| 合作状况 | 其它 |
| 会议录 | proc. spie
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| 学科主题 | 半导体材料 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8046]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jingwei Wang,Yiding Wang,Tao Wang,et al. Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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