Sub-Nanosecond Switching of HV SiC MOS Transistors for Impact Ionisation Triggering
文献类型：会议论文
| 作者 | V. Senaj; T. Kramer; A.A. del Barrio Montañés |
| 出版日期 | 2021 |
| 会议日期 | 2021 |
| 会议地点 | Brazil |
| 会议录 | Proceedings of the 12th International Particle Accelerator Conference
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| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/290625]  |
| 专题 | 学术会议_国际参会_JaCoW高能所参会会议_IPAC |
| 作者单位 | CERN, Geneva 23, Switzerland |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | V. Senaj,T. Kramer,A.A. del Barrio Montañés. Sub-Nanosecond Switching of HV SiC MOS Transistors for Impact Ionisation Triggering[C]. 见:. Brazil. 2021. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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