单层WSe_2、MoSe_2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 付鑫鹏; 周强; 秦莉 ; 李芳菲; 付喜宏
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2018 |
| 期号 | 12页码:1647-1653 |
| 关键词 | 单层WSe2 单层MoSe2 金刚石对顶砧 激子 |
| 英文摘要 | 采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激子发光在3. 7 GPa处发生了劈裂。结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变。该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61273]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付鑫鹏,周强,秦莉,等. 单层WSe_2、MoSe_2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变[J]. 发光学报,2018(12):1647-1653. |
| APA | 付鑫鹏,周强,秦莉,李芳菲,&付喜宏.(2018).单层WSe_2、MoSe_2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变.发光学报(12),1647-1653. |
| MLA | 付鑫鹏,et al."单层WSe_2、MoSe_2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变".发光学报 .12(2018):1647-1653. |
入库方式： OAI收割
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