开缝腔体场强增强效应抑制方法研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 安静; 吴一辉
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| 刊名 | 微波学报
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| 出版日期 | 2018 |
| 期号 | 06页码:93-96 |
| 关键词 | 开缝屏蔽腔 场强增强 吸波材料 印刷电路板 谐振 |
| 英文摘要 | 开缝屏蔽腔体不能完全阻断能量耦合,导致在腔内局部区域、特定频点附近形成场强增强效应,对敏感器件或线路构成威胁。以分析腔内场强增强效应及研究抑制方法为出发点,建立3种开缝腔体数值模型,提出并验证腔体涂覆吸波材料、内置吸波柱、内置双层PCB板等谐振抑制方法的有效性。结果表明:在3种腔体模型内表面涂覆吸波材料均能有效抑制场强增强效应,并且涂覆磁损耗型吸波材料效果最好;随着涂覆厚度的增加,谐振抑制效果也增强;腔体中心放置吸波柱,应使用电损耗型吸波材料。腔体内置PCB板既能实现对电子器件和线路的承载功能,还可整体大幅度提升腔体屏蔽效能,对谐振效应的抑制体现在迫使腔体主谐振点偏移,结合使用吸波材料,高阶第2谐振点处谐振抑制效果也明显改善。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61420]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安静,吴一辉. 开缝腔体场强增强效应抑制方法研究[J]. 微波学报,2018(06):93-96. |
| APA | 安静,&吴一辉.(2018).开缝腔体场强增强效应抑制方法研究.微波学报(06),93-96. |
| MLA | 安静,et al."开缝腔体场强增强效应抑制方法研究".微波学报 .06(2018):93-96. |
入库方式： OAI收割
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