Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides
文献类型：期刊论文
| 作者 | Y.Chen; Y.P.Jia; Z.M.Shi; X.J.Sun; D.B.Li |
| 刊名 | Science China-Technological Sciences
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 63期号:3页码:528-530 |
| 关键词 | gan,layer,aln,Engineering,Materials Science |
| ISSN号 | 1674-7321 |
| DOI | 10.1007/s11431-019-1488-y |
| URL标识 | 查看原文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63444]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y.Chen,Y.P.Jia,Z.M.Shi,et al. Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides[J]. Science China-Technological Sciences,2019,63(3):528-530. |
| APA | Y.Chen,Y.P.Jia,Z.M.Shi,X.J.Sun,&D.B.Li.(2019).Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides.Science China-Technological Sciences,63(3),528-530. |
| MLA | Y.Chen,et al."Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides".Science China-Technological Sciences 63.3(2019):528-530. |
入库方式： OAI收割
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