N掺杂MgZnO薄膜的光电性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵鹏程; 张振中 ; 姚斌; 李炳辉; 李贤丽
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 40期号:08页码:956-960 |
| 关键词 | 分子束外延 MgZnO薄膜 光电性质 |
| 英文摘要 | ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使氧化锌的载流子迁移率进一步下降。为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响,利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜。实验结果表明,在其他条件完全相同的情况下,当Mg源温度为245℃和255℃时,载流子迁移率会显著提高,这一现象被归结为Mg—N成键抑制了氧位上N—N对的形成,缓解了晶格的扭曲。同时当Mg源温度为275℃时,能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级,有利于实现p型掺杂。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63603]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵鹏程,张振中,姚斌,等. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质[J]. 发光学报,2019,40(08):956-960. |
| APA | 赵鹏程,张振中,姚斌,李炳辉,&李贤丽.(2019).N掺杂MgZnO薄膜的光电性质.发光学报,40(08),956-960. |
| MLA | 赵鹏程,et al."N掺杂MgZnO薄膜的光电性质".发光学报 40.08(2019):956-960. |
入库方式： OAI收割
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