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大功率半导体激光器散热研究综述

文献类型:期刊论文

作者曹宇; 李克彬; 窦洋; 杨国涛; 朱婉莹; 郑权
刊名科学技术创新
出版日期2019
期号18页码:19-20
关键词大功率 半导体激光器 方法
英文摘要在我国最近的几年时间里,半导体激光器所应用的功率逐渐升高,所以相应引发的散热情况成为了目前阻碍半导体激光器进一步发展的最大原因。由于机器芯片的升温最终会使得激光器的工作性能不断降低,想要使得半导体激光器能够在大功率的工作原理下依旧保持持续稳定的工作性能,就只能让芯片的工作得到很好的散热,经过对半导体激光器中的芯片升温现象对半导体激光器各项功能的影响程度分析,得出了芯片升温对半导体激光器有着非常重要的影响。本文根据半导体激光器在芯片升温中出现的问题进行了探讨,对如何解决这一问题提出了方法。
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63636]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
曹宇,李克彬,窦洋,等. 大功率半导体激光器散热研究综述[J]. 科学技术创新,2019(18):19-20.
APA 曹宇,李克彬,窦洋,杨国涛,朱婉莹,&郑权.(2019).大功率半导体激光器散热研究综述.科学技术创新(18),19-20.
MLA 曹宇,et al."大功率半导体激光器散热研究综述".科学技术创新 .18(2019):19-20.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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