硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
文献类型：专利
| 作者 | 潘世烈 ; 李广卯; 武奎; 李昊; 杨志华
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| 发表日期 | 2020-12-11 |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为BaB2S4，分子量为287.20，非中心对称结构单晶，晶系为正交晶系，空间群为Cc，晶胞参数a=6.665(3)Å，b=15.727(6)Å，c=6.039(2)Å，β=110.987(4)°，Z=4，单胞体积V=591.0(4)Å3。采用将硫化钡或单质钡，单质硼，单质硫在真空条件下进行固相反应法和高温熔融法制备粉末纯样和单晶；通过本发明所述方法获得的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；在2090nm的激光下，倍频效应是AgGaS2的0.7倍；获得毫米级晶体。 |
| 公开日期 | 2020-12-11 |
| 申请日期 | 2018-06-15 |
| 状态 | 已授权 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8062]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘世烈,李广卯,武奎,等. 硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用. 2020-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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