增强型氮化镓功率器件的总剂量效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈思远1,2,3; 于新1,2; 陆妩1,2 ; 王信1,2; 李小龙1,2; 刘默寒1,2; 孙静1,2; 郭旗1,2
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 51期号:3页码:444-448 |
| 关键词 | 氮化镓功率器件 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7963]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈思远1,2,3,于新1,2,陆妩1,2,等. 增强型氮化镓功率器件的总剂量效应[J]. 微电子学,2021,51(3):444-448. |
| APA | 陈思远1,2,3.,于新1,2.,陆妩1,2.,王信1,2.,李小龙1,2.,...&郭旗1,2.(2021).增强型氮化镓功率器件的总剂量效应.微电子学,51(3),444-448. |
| MLA | 陈思远1,2,3,et al."增强型氮化镓功率器件的总剂量效应".微电子学 51.3(2021):444-448. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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