空间环境辐射对宇航级器件产生总剂量效应会导致器件性能参数随着剂量累积而逐步衰退,主流的抗辐射加固途径主要是芯片设计和工艺加固,存在设计周期长、流片及验证成本高等问题。针对此问题,为降低具有小批量、多批次特点的宇航级器件的研发门槛,提出一种用于封装抗辐射加固的电子辐射屏蔽设计。设计通过分析GEO轨道的辐射环境,基于对高能电子与屏蔽材料的作用机制,针对电子辐射总剂量效应,采用Al/Ta纳米复合材料结构来屏蔽空间环境中的高能电子辐射及其二次辐射,解决传统封装加固中遇到的"越挡越乱"问题。经实验,0.4mm以上复合涂层屏蔽效率超过90%并通过了可靠性测试。