8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 傅婧1,2,3; 李豫东1,2 ; 冯婕1,2; 文林1,2; 郭旗1,2
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 55期号:12页码:2128-2134 |
| 关键词 | CMOS图像传感器 钳位光电二极管 质子辐照 电离总剂量 位移损伤剂量 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 英文摘要 | 本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8122]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 通讯作者 | 李豫东1,2; 冯婕1,2 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅婧1,2,3,李豫东1,2,冯婕1,2,等. 8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2128-2134. |
| APA | 傅婧1,2,3,李豫东1,2,冯婕1,2,文林1,2,&郭旗1,2.(2021).8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）.原子能科学技术,55(12),2128-2134. |
| MLA | 傅婧1,2,3,et al."8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）".原子能科学技术 55.12(2021):2128-2134. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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