高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马函1,2; 孙静1; 何承发1 ; 荀明珠1
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 55期号:12页码:2175-2182 |
| 关键词 | 高温环境 RADFETs 辐照响应 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 英文摘要 | 通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分离,对高温下辐照响应的微观机理进行了分析。氧化物陷阱电荷的退火作用是导致非线性响应的主要原因。不同氧化层厚度的氧化物陷阱电荷密度差异很大,高温下100 nm和400 nm RADFETs的界面态陷阱电荷密度差异较小。最后讨论了高温下不同栅氧厚度RADFETs的适用性,为高温环境下RADFETs的应用提供了参考。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8123]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 通讯作者 | 孙静1 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马函1,2,孙静1,何承发1,等. 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文）[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2175-2182. |
| APA | 马函1,2,孙静1,何承发1,&荀明珠1.(2021).高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文）.原子能科学技术,55(12),2175-2182. |
| MLA | 马函1,2,et al."高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文）".原子能科学技术 55.12(2021):2175-2182. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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