Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs
文献类型：学位论文
| 作者 | Aqdas Fariza |
| 答辩日期 | 2021-12 |
| 文献子类 | 博士后 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2021-12 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30621]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Aqdas Fariza. Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学. 2021. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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