Achieving homogeneity of InGaN/GaN quantum well by well/barrier interface treatment
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liyuan Peng ; Degang Zhao; Jianjun Zhu ; Wenjie Wang; Feng Liang; Desheng Jiang ; Zongshun Liu ; Ping Chen ; Jing Yang ; Shuangtao Liu ; Yao Xing ; Liqun Zhang |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 505页码:144283 |
| 公开日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30677]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liyuan Peng ; Degang Zhao; Jianjun Zhu ; Wenjie Wang; Feng Liang; Desheng Jiang ;Zongshun Liu ; Ping Chen ; Jing Yang ; Shuangtao Liu ; Yao Xing ; Liqun Zhang. Achieving homogeneity of InGaN/GaN quantum well by well/barrier interface treatment[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2020,505:144283. |
| APA | Liyuan Peng ; Degang Zhao; Jianjun Zhu ; Wenjie Wang; Feng Liang; Desheng Jiang ;Zongshun Liu ; Ping Chen ; Jing Yang ; Shuangtao Liu ; Yao Xing ; Liqun Zhang.(2020).Achieving homogeneity of InGaN/GaN quantum well by well/barrier interface treatment.APPLIED SURFACE SCIENCE,505,144283. |
| MLA | Liyuan Peng ; Degang Zhao; Jianjun Zhu ; Wenjie Wang; Feng Liang; Desheng Jiang ;Zongshun Liu ; Ping Chen ; Jing Yang ; Shuangtao Liu ; Yao Xing ; Liqun Zhang."Achieving homogeneity of InGaN/GaN quantum well by well/barrier interface treatment".APPLIED SURFACE SCIENCE 505(2020):144283. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。