Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhi-Ming Yu; Shan Guan; Xian-Lei Sheng; Weibo Gao; Shengyuan A. Yang |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW LETTERS
 |
| 出版日期 | 2020 |
| 卷号 | 124期号:3页码:037701 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30636]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhi-Ming Yu; Shan Guan;Xian-Lei Sheng; Weibo Gao; Shengyuan A. Yang. Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS,2020,124(3):037701. |
| APA | Zhi-Ming Yu; Shan Guan;Xian-Lei Sheng; Weibo Gao; Shengyuan A. Yang.(2020).Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics.PHYSICAL REVIEW LETTERS,124(3),037701. |
| MLA | Zhi-Ming Yu; Shan Guan;Xian-Lei Sheng; Weibo Gao; Shengyuan A. Yang."Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics".PHYSICAL REVIEW LETTERS 124.3(2020):037701. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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