金硅面垒^8Be探测器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王柱生
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 24.0期号:006页码:670-671 |
| 关键词 | 激发能 自旋 能级 能量分辨率 探测器 带电粒子 关联 有效面积 漏电流 工作电压 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 英文摘要 | 介绍了金硅面垒^8Be探测器的制造工艺和测试结果。有效面积157～570mm^2，厚度为280μm．工作电压100～150V时，其漏电流0．04～0．12μA。对于8．78MeVα粒手的能量分辨率为0．54％～0．80％．用该探测器通过对^8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1792069 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/138806]  |
| 专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王柱生. 金硅面垒^8Be探测器的研制[J]. 核电子学与探测技术,2004,24.0(006):670-671. |
| APA | 王柱生.(2004).金硅面垒^8Be探测器的研制.核电子学与探测技术,24.0(006),670-671. |
| MLA | 王柱生."金硅面垒^8Be探测器的研制".核电子学与探测技术 24.0.006(2004):670-671. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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