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氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张勇; 张崇宏 ; 周丽宏; 李炳生; 杨义涛
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 000期号:006页码:4130-4135 |
| 关键词 | SiC 注入 氦泡 纳米压痕 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC |
| 英文摘要 | 4H-SiC晶体经能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温（500K）注入后,再在773—1273K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3958784 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/139056]  |
| 专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张勇,张崇宏,周丽宏,等. 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究[J]. 物理学报,2010,000(006):4130-4135. |
| APA | 张勇,张崇宏,周丽宏,李炳生,&杨义涛.(2010).氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究.物理学报,000(006),4130-4135. |
| MLA | 张勇,et al."氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究".物理学报 000.006(2010):4130-4135. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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