关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 陈猛 ; 王曦 ; 孙超 ; 黄荣芳 ; 闻立时 |
| 出版日期 | 2000-03-01 |
| 会议名称 | 上海市真空学会第七届学术年会 |
| 会议日期 | 2000-03-01 |
| 会议地点 | 上海 |
| 关键词 | 电离杂质散射 ITO薄膜 电学极值 |
| 中文摘要 | 基于有效质量的载流子浓度修正计算了电离杂质散射对ITO薄膜电学极限的贡献.研究表明,修正后的电离杂质散射机制界定了ITO薄膜载流子迁移率的上限和电阻率的下限. |
| 会议主办者 | 中国真空学会;上海市真空学会 |
| 会议录 | 上海市真空学会第七届学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70342]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,王曦,孙超,等. 关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究[C]. 见:上海市真空学会第七届学术年会. 上海. 2000-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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