中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化
文献类型：会议论文
| 作者 | 廖国进 ; 巴德纯 ; 闻立时 ; 刘斯明 ; 阎绍峰 |
| 出版日期 | 2007-06-16 |
| 会议名称 | 第八届真空冶金与表面工程学术会议 |
| 会议日期 | 2007-06-16 |
| 会议地点 | 沈阳 |
| 关键词 | 磁控溅射 三氧化二铝 发光薄膜 正交试验 中频反应磁控溅射技术 |
| 中文摘要 | 中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1％,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9％.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光. |
| 会议主办者 | 中国真空学会 |
| 会议录 | 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70517]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化[C]. 见:第八届真空冶金与表面工程学术会议. 沈阳. 2007-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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