Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 郑士建 ; 艾延龄 ; 马秀良 |
| 出版日期 | 2006-08-26 |
| 会议名称 | 2006年全国电子显微学会议 |
| 会议日期 | 2006-08-26 |
| 会议地点 | 沈阳 |
| 关键词 | BaTO3 电子陶瓷 异常长大 电子显微镜 PTCR效应 |
| 中文摘要 | BaTiO3是一种重要的电子陶瓷.经过少量Y掺杂的BaTiO3具有正的温度电阻系数(PTCR),可以用作热敏器件.经研究证实PTCR效应只出现在大晶粒中,但异常长大在BaTiO3基陶瓷中是一种常见的现象,而且异常长大的晶粒会抑制基体晶粒的生长.所以有必要对BaTiO3中异常长大方式进行研究,以获得均匀的晶粒尺度.Park等人认为BaTiO3以二维形核的方式长大,其长大速度受界面反应控制.本文通过高分辨透射电子显微镜对异常长大晶界进行研究,通过直接观察证实了上述长大机理。 |
| 会议主办者 | 中国物理学会 |
| 会议录 | 电子显微学报
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70522]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑士建,艾延龄,马秀良. Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究[C]. 见:2006年全国电子显微学会议. 沈阳. 2006-08-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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