HfO2/Si(001)界面层的TEM研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 卓木金 ; 马秀良 |
| 出版日期 | 2006-08-26 |
| 会议名称 | 2006年全国电子显微学会议 |
| 会议日期 | 2006-08-26 |
| 会议地点 | 沈阳 |
| 关键词 | 栅氧化层 氧化硅 高K介质材料 隧穿效应 栅介质层 微电子技术 |
| 中文摘要 | 随着微电子技术的迅猛发展,集成电路的集成度不断增大,器件的尺寸不断缩小.当MOSFET尺寸缩小到0.1 nm的尺度以下时,栅氧化层的等效厚度(在保持栅电容值不变的条件下,以相对介电常数为3.9的SiO2作为标准得到的栅介质层厚度)需要小于3 nm.如仍采用传统的氧化硅作为栅氧化层介质,电子的直接隧穿效应和栅介质层所承受的电场将变得很大,由此引起栅介质的漏电流增大和可靠性下降等严重问题,严重阻碍了MOS器件的进一步发展.因此,人们提出了采用高介电常数的栅介质(通常称为高K栅介质)替代传统氧化硅的解决方法.利用高K介质材料替代传统氧化硅作为栅介质,可以在保持等效厚度不变的条件下,增加介质层的物理厚度,因而可大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度.新型高K栅介质研究已成为国际微电子领域的热门研究课题之一。本文研究HfO2/Si(001)界面层的电子显微学。 |
| 会议主办者 | 中国物理学会 |
| 会议录 | 电子显微学报
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70523]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卓木金,马秀良. HfO2/Si(001)界面层的TEM研究[C]. 见:2006年全国电子显微学会议. 沈阳. 2006-08-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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