Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 魏薇 ; 曹小明 ; 张劲松 |
| 出版日期 | 2007-11-15 |
| 会议名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议 |
| 会议日期 | 2007-11-15 |
| 会议地点 | 武汉 |
| 关键词 | 反应烧结 SiC陶瓷 塞贝克系数 热电优值 |
| 中文摘要 | 采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷,研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了SiC陶瓷的电学性能；同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小；总的来看,随着Si含量的增加,SiC陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此SiC陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15％时,材料的热电优值是SiC烧结体的30倍. |
| 会议主办者 | 中国仪器仪表学会;中国物理学会;中国光学学会 |
| 会议录 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70572]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏薇,曹小明,张劲松. Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 武汉. 2007-11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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