AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
文献类型：会议论文
| 作者 | 闫鹏飞 ; 隋曼龄 |
| 出版日期 | 2008-11-30 |
| 会议名称 | 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2008-11-30 |
| 会议地点 | 广州 |
| 关键词 | 氮化镓异质结 化学气相沉积法 蓝宝石衬底 紫外光发光二极管 位错滑移 带状缺陷 发光性能 |
| 中文摘要 | 对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{11-22}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。 |
| 会议主办者 | 中国电子学会;广州市科协 |
| 会议录 | 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70785]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[C]. 见:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 广州. 2008-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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