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空气氧化选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管

文献类型:会议论文

作者于冰 ; 侯鹏翔 ; 刘畅 ; 成会明
出版日期2009-10
会议名称第九届全国新型炭材料学术研讨会
会议日期2009-10
会议地点厦门
关键词单壁碳纳米管 选择性刻蚀 空气氧化 化学气相沉积法 纳米电子器件
中文摘要我们报道一种简单有效选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管的方法。该方法为在空气中高温氧化浮动催化化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管薄膜。经氧化处理后,金属性和小直径的单壁碳纳米管基本被刻蚀掉,剩余产物为直径大于1.3 nm的半导体性单壁碳纳米管。这种尺度的半导体性单壁碳纳米管适用于构建纳米电子器件。
会议主办者中国科学院山西煤炭化学研究所
会议录第九届全国新型炭材料学术研讨会论文集
语种中文
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/70850]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
于冰,侯鹏翔,刘畅,等. 空气氧化选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管[C]. 见:第九届全国新型炭材料学术研讨会. 厦门. 2009-10.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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