铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周步康; 范艳伟; 陈朝阳
|
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 32期号:7页码:10-13 |
| 关键词 | P型硅 N型硅 深能级杂质 Fe 电阻率 补偿度 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 英文摘要 | 采用电阻率为4.8.cm的p型硅片和10.cm的n型硅片,通过高温扩散法制备出了Fe掺杂的补偿硅材料。在室温避光条件下,测量样品电阻率ρ,并用XRD对扩散后的样品进行分析,研究了Fe掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响。结果表明:相对于n型硅材料,深能级杂质Fe掺杂对p型硅材料电阻率的影响更大,其Fe掺杂p型硅材料电阻率远大于Fe掺杂n型硅材料;当p型硅表面Fe扩散源浓度为1.74×10–5mol/cm2时,在1 200℃下扩散1 h后,材料具有最大电阻率7 246.cm。 |
| CSCD记录号 | CSCD:4892632 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2561]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周步康,范艳伟,陈朝阳. 铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响[J]. 电子元件与材料,2013,32(7):10-13. |
| APA | 周步康,范艳伟,&陈朝阳.(2013).铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响.电子元件与材料,32(7),10-13. |
| MLA | 周步康,et al."铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响".电子元件与材料 32.7(2013):10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。