X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴正新; 何承发 ; 陆妩; 郭旗; 艾尔肯·阿不列木; 于新; 张磊; 邓伟; 郑齐文
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 36期号:6页码:10-15 |
| 关键词 | 蒙特卡罗方法 剂量增强因子 界面 能量沉积 体元 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 英文摘要 | 本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。 |
| CSCD记录号 | CSCD:4876160 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2563]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 新疆大学物理科学与技术学院；中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴正新,何承发,陆妩,等. X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究[J]. 核技术,2013,36(6):10-15. |
| APA | 吴正新.,何承发.,陆妩.,郭旗.,艾尔肯·阿不列木.,...&郑齐文.(2013).X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究.核技术,36(6),10-15. |
| MLA | 吴正新,et al."X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究".核技术 36.6(2013):10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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