10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯婕1,2; 李豫东1,2 ; 傅婧1,2,3; 文林1,2; 郭旗1,2
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 55期号:12页码:2135-2142 |
| 关键词 | 时空数据 可视分析 网吧记录 共现群体 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 英文摘要 | 为分析星敏感器性能下降和姿态测量精度下降的原因,研究了10 MeV质子辐照下8T全局曝光CMOS图像传感器（CIS）电离总剂量（TID）效应和位移损伤效应对星敏感器典型性能参数的影响。分析了CMOS图像传感器暗电流、暗信号非均匀性和光响应非均匀性随位移损伤剂量（DDD）的变化规律和星敏感器星对角距精度、质心定位精度随DDD的退化规律。该研究从系统角度分析了空间辐射对星敏感器性能参数的影响,为星敏感器在轨姿态误差测量和修正技术的研究奠定基础,同时也为高精度星敏感器的设计提供了一定的理论依据。 |
| CSCD记录号 | CSCD:7103809 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8150]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_多语种信息技术研究室 固体辐射物理研究室 |
| 通讯作者 | 李豫东1,2 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯婕1,2,李豫东1,2,傅婧1,2,3,等. 10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2135-2142. |
| APA | 冯婕1,2,李豫东1,2,傅婧1,2,3,文林1,2,&郭旗1,2.(2021).10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）.原子能科学技术,55(12),2135-2142. |
| MLA | 冯婕1,2,et al."10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文）".原子能科学技术 55.12(2021):2135-2142. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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