Er2O3/Si薄膜界面层研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 汪雪 ; 朱银莲 ; 马秀良 |
| 出版日期 | 2010-10-08 |
| 会议名称 | 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会 |
| 会议日期 | 2010-10-08 |
| 会议地点 | 杭州 |
| 关键词 | 半导体器件 稀土氧化物 硅衬底 |
| 中文摘要 | @@在半导体器件领域，稀土氧化物Erz0，由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性，是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而，通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层，与生长的氧化物层组成串联电路，如果这一界面层的介电常数低且较厚，就会影响整体薄膜的电容。本文利用透射电子显微技术(TEM)研究了用激光分子外延（Laser-MBE）法在Si(001)衬底上生长的的Er2O3薄膜。研究发现在Er203与Si界面存在一个原子排列混乱的约2 nm厚的界面层，与通常具有较低的介电常数的氧化硅非晶界面层不同，这一界面层的成分主要是Er和0.以及少量的Si。 |
| 会议主办者 | 中国物理学会 |
| 会议录 | 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70984]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪雪,朱银莲,马秀良. Er2O3/Si薄膜界面层研究[C]. 见:2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会. 杭州. 2010-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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