NdSn3化合物在晶须生长过程中的氧化行为
文献类型：会议论文
| 作者 | 李财富 ; 刘志权 ; 尚建库 |
| 出版日期 | 2010-10-08 |
| 会议名称 | 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会 |
| 会议日期 | 2010-10-08 |
| 会议地点 | 杭州 |
| 关键词 | NdSn3化合物 晶须生长 氧化行为 |
| 中文摘要 | @@半个多世纪以前，人们研究含有镀锡层电子器件的失效原因时，发现由镀层生长出的锡晶须由于具有良好的导电性，当其足够长或脱落时会导致电路中两引脚短路、桥连等电路失效，从而引发重大事故。后来人们为了抑制锡晶须的生长，从纯锡镀层发展为锡铅镀层，这在一定程度上抑制了晶须的生长。然而，由于重金属铅具有毒性，近年来各国已相继颁布了相关法令以限制铅在电子产品中的应用。这使得无铅镀层中的晶须生长问题被再次提出，其对当今高密度封装时代电子产品的寿命和可靠性的威胁越来越大。此外，在微电子互连材料的无铅化进程中，人们往往通过在无铅钎料中添加稀土元素来改善其力学性能和可靠性。在这类钎料中含有稀土与锡形成的金属间化合物，而这些化合物很容易被氧化从而生长出晶须，而且晶须的生长速度很快。 |
| 会议主办者 | 中国物理学会 |
| 会议录 | 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70987]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李财富,刘志权,尚建库. NdSn3化合物在晶须生长过程中的氧化行为[C]. 见:2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会. 杭州. 2010-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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