氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 陆峰 ; 徐成海 ; 闻立时 ; 吴玉厚 |
| 出版日期 | 2010-05 |
| 会议名称 | 第九届全国光电技术学术交流会 |
| 会议日期 | 2010-05 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | ZAO薄膜 直流反应溅射 氧分压 氩分压 |
| 中文摘要 | 采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的氧、氩分压制备参数，利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率>85％，最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜，其光电性能均满足应用需求. |
| 会议主办者 | 中国宇航学会;中国航空学会;中国兵工学会;中国光学学会;中国电子学会 |
| 会议录 | 第九届全国光电技术学术交流会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70995]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,闻立时,等. 氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响[C]. 见:第九届全国光电技术学术交流会. 北京. 2010-05. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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