P对IN783合金氧化性能的影响
文献类型:会议论文
作者 | 于连旭 ; 宋篪 ; 孙雅茹 ; 孙文儒 ; 孙晓峰 ; 郭守仁 ; 胡壮麒 |
出版日期 | 2011-08 |
会议名称 | 第十二届中国高温合金年会 |
会议日期 | 2011-08 |
会议地点 | 成都 |
关键词 | 低膨胀 IN783 P 氧化 晶界 |
中文摘要 | 研究了P对IN783合金抗氧化性的影响。结果表明,P促进晶界β—NiAl相的析出,一方面增加了Ni和Al在晶界处富集,阻碍了Fe和Co向外扩散从而抑制外氧化膜的连续生长;另一方面还阻碍了O的沿晶侵入,抑制晶界处的优先氧化,从而提高了IN783合金的抗氧化性。 |
会议主办者 | 中国金属学会 |
会议录 | 第十二届中国高温合金年会论文集
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语种 | 中文 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/71060] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 于连旭,宋篪,孙雅茹,等. P对IN783合金氧化性能的影响[C]. 见:第十二届中国高温合金年会. 成都. 2011-08. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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