2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 安宁; 韩兴伟; 刘承志; 范存波; 董雪; 宋清丽 |
| 刊名 | 光子学报
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 45期号:9页码:0914001 |
| 关键词 | 半导体激光器 InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱 双波导结构 低垂直发散角 数值模拟 |
| ISSN号 | 1004-4213 |
| 英文摘要 | 为了提高2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb 半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语言构建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip软件对具有不同结构的2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb 半导体激光器进行了数值模拟分析.研究结果表明,双波导结构可以将半导体激光器的有源区限制因子由0.019 2减小至0.011 3,器件的最大输出功率提高了1.7倍,远场垂直发散角由57°减小到48°,器件性能得到了改善. |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.bao.ac.cn/handle/114a11/56608]  |
| 专题 | 中国科学院国家天文台 |
| 作者单位 | 中国科学院国家天文台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安宁,韩兴伟,刘承志,等. 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计[J]. 光子学报,2016,45(9):0914001. |
| APA | 安宁,韩兴伟,刘承志,范存波,董雪,&宋清丽.(2016).2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计.光子学报,45(9),0914001. |
| MLA | 安宁,et al."2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计".光子学报 45.9(2016):0914001. |
入库方式： OAI收割
来源：国家天文台
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