元素掺杂对Bi 电迁移影响的第一原理计算
文献类型：会议论文
| 作者 | 庞学永 ; 刘志权 ; 王绍青 ; 尚建库 |
| 出版日期 | 2010-06-19 |
| 会议名称 | 2010中国材料研讨会 |
| 会议日期 | 2010-06-19 |
| 会议地点 | 长沙 |
| 关键词 | 第一原理 电迁移 SnBi 无铅焊料 元素掺杂 |
| 中文摘要 | 本工作应用第一原理方法研究了如何通过添加掺杂元素抑制SnBi 焊料中的Bi 的电迁移问题。在 SnBi 体系中掺杂Zn 和Sb 元素，通过用NEB 方法计算了掺杂体系中Bi 元素的扩散能垒。加入Sb 之后，Bi 的扩散能垒由原来的0.32eV 升高到了0.46eV，扩散激活能由原来的1.14eV 升高到了1.18eV。加入Zn 之 后，Bi 的扩散能垒由原来的0.32eV 升高到了0.48eV，扩散激活能由原来的1.14eV 升高到了1.22eV。由 此可得，Zn 和Sb 的加入都能够升高Bi 的扩散激活能，起到抑制扩散的作用。通过分析态密度可知，Zn 和 Sb 加入后，体系中Sb 与Bi 的p 态曲线几乎完全重合，要比Sn 与Bi 的p 态曲线重合度高很多，表明Sb 和Bi 的共价键作用很强，且比Sn-Bi 的共价键作用强，从而增加了Bi 的扩散能垒。分析Zn 和Bi 的态密 度曲线可知，同样Zn 和Bi 的p 态曲线重合度也要比Sn 和Bi 的曲线重合度高很多，表明Zn-Bi 的共价键 同样要比Sn-Bi 的共价键强，所以Zn 的加入同样增加了Bi 的扩散能垒。总结说来，Sb 和Zn 的掺杂能够 抑制SnBi 焊料中的Bi 的电迁移。 |
| 会议主办者 | 中国材料研究学会 |
| 会议录 | 2010中国材料研讨会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/71085]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞学永,刘志权,王绍青,等. 元素掺杂对Bi 电迁移影响的第一原理计算[C]. 见:2010中国材料研讨会. 长沙. 2010-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。