水溶液中硫酸钾晶体生长过程研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈勇 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院过程工程研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院过程工程研究所 |
| 导师 | 邵曼君 |
| 关键词 | 硫酸钾 晶体生长 生长速率 生长机理 |
| 学位专业 | 多相反应 |
| 中文摘要 | 笔者使用流动温差晶体生长实验装置及显微照相观察法考察晶体生长速率，对粒度范围在5-l 000μm内的硫酸钾晶体在水溶液中的生长过程进行了实验研究。首先，采用正交试验法讨论了主要参数溶液流速、过饱和度和温度对硫酸钾晶体生长速率的影响。通过级差法和方差分析可知：过饱和度对晶体生长速率的影响最大，溶液流速次之，而生长温度的影响最小。其后又详细考察了各因素对粒度在L=200一looo}tm范围内的硫酸钾晶体的生长过程，通过非线性回归的方法得到了各个因素对晶体生长速率的影响方程式。从中可以看到：相同条件下，晶体［100〕方向的生长速率大于「001」方向的生长速率，而且各个影响因素对晶体沿「100〕方向生长的影响大于对［001〕方向的影响。随着过饱和度、晶体粒度、溶液流速和生长温度的增加，晶体生长速率增大，而且也再次得到各主要参数对晶体生长速率的影响程度的结论，即：过饱和度对晶体的生长速率的影响最大，其次是晶体粒度、溶液流速，而生长温度的影响最小。然后，应用环境扫描电子显微镜观察了粒度小于I oo}tm的硫酸钾小晶体的生长过程，结果表明：小晶体的生长速率与晶体的初始粒度有很强的相关性，随着粒度的减小，生长速率明显地下降。同时发现，硫酸钾小晶体的生长存在着生长分散现象，其生长过程符合恒定晶体生长（ccc）模型。最后，初步探讨了硫酸钾晶体的生长机理，从中得到：粒度在10一60[tm的硫酸钾小晶体的(110)晶面和(021)晶面的生长过程较好地符合BCF理论的面扩散理论。且在低过饱和度下，大晶体（一500}tm）的(021)晶面和(110)的生长也基本上符合BCF面扩散理论，但在较高的过饱和度下，（110)晶面的生长已不再由纯面扩散所控制，要考虑体扩散的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-16 |
| 页码 | 80 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/1325]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈勇. 水溶液中硫酸钾晶体生长过程研究[D]. 中国科学院过程工程研究所. 中国科学院过程工程研究所. 2002. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
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