Metal-Assisted Chemical Etching for Anisotropic Deep Trenching of GaN Array
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, Qi; Zhou, Kehong; Zhao, Shuai; Yang, Wen; Zhang, Hongsheng; Yan, Wensheng; Huang, Yi; Yuan, Guodong |
| 刊名 | NANOMATERIALS
 |
| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 11期号:12页码:3179 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30771]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Qi; Zhou, Kehong; Zhao, Shuai; Yang, Wen; Zhang, Hongsheng; Yan, Wensheng; Huang, Yi; Yuan, Guodong. Metal-Assisted Chemical Etching for Anisotropic Deep Trenching of GaN Array[J]. NANOMATERIALS,2021,11(12):3179. |
| APA | Wang, Qi; Zhou, Kehong; Zhao, Shuai; Yang, Wen; Zhang, Hongsheng; Yan, Wensheng; Huang, Yi; Yuan, Guodong.(2021).Metal-Assisted Chemical Etching for Anisotropic Deep Trenching of GaN Array.NANOMATERIALS,11(12),3179. |
| MLA | Wang, Qi; Zhou, Kehong; Zhao, Shuai; Yang, Wen; Zhang, Hongsheng; Yan, Wensheng; Huang, Yi; Yuan, Guodong."Metal-Assisted Chemical Etching for Anisotropic Deep Trenching of GaN Array".NANOMATERIALS 11.12(2021):3179. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。