A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, Yuanjie; Huang, Shaoyun; Mu, Jingwei; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Xu, Hong-Qi |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 30期号:12页码:128501 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30741]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, Yuanjie; Huang, Shaoyun; Mu, Jingwei; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Xu, Hong-Qi. A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet[J]. CHINESE PHYSICS B,2021,30(12):128501. |
| APA | Chen, Yuanjie; Huang, Shaoyun; Mu, Jingwei; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Xu, Hong-Qi.(2021).A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet.CHINESE PHYSICS B,30(12),128501. |
| MLA | Chen, Yuanjie; Huang, Shaoyun; Mu, Jingwei; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Xu, Hong-Qi."A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet".CHINESE PHYSICS B 30.12(2021):128501. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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