Wet etching of semi-polar (11-22) GaN on m-sapphire by different methods
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wen, Ling; Wang, Lianshan; Chai, Ruohao; Li, Wenlong; Yang, Shaoyan |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 570页码:126200 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31023]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wen, Ling; Wang, Lianshan; Chai, Ruohao; Li, Wenlong; Yang, Shaoyan. Wet etching of semi-polar (11-22) GaN on m-sapphire by different methods[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2021,570:126200. |
| APA | Wen, Ling; Wang, Lianshan; Chai, Ruohao; Li, Wenlong; Yang, Shaoyan.(2021).Wet etching of semi-polar (11-22) GaN on m-sapphire by different methods.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,570,126200. |
| MLA | Wen, Ling; Wang, Lianshan; Chai, Ruohao; Li, Wenlong; Yang, Shaoyan."Wet etching of semi-polar (11-22) GaN on m-sapphire by different methods".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 570(2021):126200. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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