Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique
文献类型：期刊论文
| 作者 | Sun, Jianwen; Zhan, Teng; Sokolovskij, Robert; Liu, Zewen; Sarro, Pasqualina M.; Zhang, Guoqi |
| 刊名 | IEEE SENSORS JOURNAL
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| 出版日期 | 2021 |
| 卷号 | 21期号:15页码:16475-16483 |
| 公开日期 | 2021 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30998]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun, Jianwen; Zhan, Teng; Sokolovskij, Robert; Liu, Zewen; Sarro, Pasqualina M.; Zhang, Guoqi. Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique[J]. IEEE SENSORS JOURNAL,2021,21(15):16475-16483. |
| APA | Sun, Jianwen; Zhan, Teng; Sokolovskij, Robert; Liu, Zewen; Sarro, Pasqualina M.; Zhang, Guoqi.(2021).Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique.IEEE SENSORS JOURNAL,21(15),16475-16483. |
| MLA | Sun, Jianwen; Zhan, Teng; Sokolovskij, Robert; Liu, Zewen; Sarro, Pasqualina M.; Zhang, Guoqi."Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique".IEEE SENSORS JOURNAL 21.15(2021):16475-16483. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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